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JANTX2N3421

JANTX2N3421

数据手册.pdf

Trans GP BJT NPN 80V 3A 3Pin TO-5

This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage. These devices are also available in TO-39 and low profile U4 packaging.  also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 3A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin TO-5


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 3A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag


JANTX2N3421中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 40 @1A, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5-3

外形尺寸

封装 TO-5-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

JANTX2N3421引脚图与封装图
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在线购买JANTX2N3421
型号 制造商 描述 购买
JANTX2N3421 Microsemi 美高森美 Trans GP BJT NPN 80V 3A 3Pin TO-5 搜索库存
替代型号JANTX2N3421
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANTX2N3421

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-5-3 1000mW

当前型号

Trans GP BJT NPN 80V 3A 3Pin TO-5

当前型号

型号: JANS2N5154

品牌: 美高森美

封装: TO-39

完全替代

Trans GP BJT NPN 80V 2A 3Pin TO-39

JANTX2N3421和JANS2N5154的区别

型号: JANTXV2N5154

品牌: 美高森美

封装: TO-39 1000mW

功能相似

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

JANTX2N3421和JANTXV2N5154的区别

型号: JAN2N5154

品牌: 美高森美

封装: TO-39

功能相似

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

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