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JANTX2N3810

JANTX2N3810

数据手册.pdf

Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6Pin TO-78

Do you require a transistor in your circuit operating in the high-voltage range? This PNP general purpose bipolar junction transistor, developed by , is your solution. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 350 mW. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

JANTX2N3810中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.35 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 150 @1mA, 5V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 6

封装 TO-78-6

外形尺寸

封装 TO-78-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

JANTX2N3810引脚图与封装图
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在线购买JANTX2N3810
型号 制造商 描述 购买
JANTX2N3810 Microsemi 美高森美 Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6Pin TO-78 搜索库存
替代型号JANTX2N3810
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JANTX2N3810

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-78-6 350mW

当前型号

Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6Pin TO-78

当前型号

型号： JANS2N3810

品牌： 美高森美

封装： TO-78 PNP 350mW

完全替代

TO-78 PNP 60V 0.05A

JANTX2N3810和JANS2N3810的区别

型号： 2N3810L

品牌： 美高森美

封装： TO-78-6

完全替代

PNP硅晶体管双 PNP SILICON DUAL TRANSISTOR

JANTX2N3810和2N3810L的区别

型号： JANTXV2N3810

品牌： 美高森美

封装： TO-78-6 PNP

完全替代

TO-78 PNP 60V 0.05A

JANTX2N3810和JANTXV2N3810的区别