IGLD60R070D1AUMA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.055 ohm, 1.2 V

表面贴装型 N 通道 600 V 15A（Tc） 114W（Tc） PG-LSON-8-1

得捷:
GANFET N-CH 600V 15A LSON-8

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.055 ohm, 1.2 V

艾睿:
Trans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R

Verical:
Trans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R

IGLD60R070D1AUMA1中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.055 Ω

耗散功率 114 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 600 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 114000 mW

封装参数

引脚数 8

封装 LSON

外形尺寸

封装 LSON

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

IGLD60R070D1AUMA1引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IGLD60R070D1AUMA1

型号	制造商	描述	购买
IGLD60R070D1AUMA1	Infineon 英飞凌	晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.055 ohm, 1.2 V	搜索库存