IKB40N65ES5ATMA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230000mW T/R

IGBT Trench Field Stop 650V 79A 230W Surface Mount PG-TO263-3

欧时:
Infineon IKB40N65ES5ATMA1

得捷:
40A 650V TRENCHSTOP5 MEDIUM SPEE

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 3-Pin TO-263 T/R

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

IKB40N65ES5ATMA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 230000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 73 ns

额定功率Max 230 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 230000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

IKB40N65ES5ATMA1引脚图与封装图

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