IPP90R1K2C3XKSA2
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
针脚数 3
漏源极电阻 0.94 Ω
耗散功率 83 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 900 V
工作温度Max 150 ℃
封装 TO-220
封装 TO-220
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPP90R1K2C3XKSA2 | Infineon 英飞凌 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IPP90R1K2C3XKSA2 品牌: Infineon 英飞凌 封装: | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 | |
型号: IPP90R1K2C3XKSA1 品牌: 英飞凌 封装: TO-220 N-Channel 900V 5.1A | 类似代替 | INFINEON IPP90R1K2C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V | IPP90R1K2C3XKSA2和IPP90R1K2C3XKSA1的区别 |