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IPP90R1K2C3XKSA2

IPP90R1K2C3XKSA2

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V

通孔 N 通道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1


得捷:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Power Mosfet


IPP90R1K2C3XKSA2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.94 Ω

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 900 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPP90R1K2C3XKSA2引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPP90R1K2C3XKSA2 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号IPP90R1K2C3XKSA2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPP90R1K2C3XKSA2

品牌: Infineon 英飞凌

封装:

当前型号

晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: IPP90R1K2C3XKSA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-220 N-Channel 900V 5.1A

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