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IXFP90N20X3

IXFP90N20X3

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 电子元器件分类

N沟道 200V

N-Channel 200V 90A Tc 390W Tc Through Hole TO-220


得捷:
MOSFET N-CH 200V 90A TO220


立创商城:
N沟道 200V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin3+Tab TO-220AB


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin3+Tab TO-220AB


IXFP90N20X3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 390 W

漏源极电压Vds 200 V

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 5420pF @25VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 390000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IXFP90N20X3引脚图与封装图
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