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IPZA60R060P7XKSA1

IPZA60R060P7XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 600 V, 0.049 ohm, 10 V, 3.5 V

IPZA60R060P7, SP001707738


得捷:
MOSFET N-CH 600V 48A TO247-4


欧时:
Infineon MOSFET IPZA60R060P7XKSA1


贸泽:
MOSFET HIGH POWER_NEW


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin4+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 48A 4-Pin TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4


IPZA60R060P7XKSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.049 Ω

耗散功率 164 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 2895pF @400VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 164000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 TO-247-4

外形尺寸

封装 TO-247-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPZA60R060P7XKSA1引脚图与封装图
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IPZA60R060P7XKSA1 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 600 V, 0.049 ohm, 10 V, 3.5 V 搜索库存