IDH04G65C6XKSA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

二极管, 碳化硅肖特基, CoolSiC 6G 650V Series, 单, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220

二极管碳化硅肖特基 650 V 12A（DC）通孔 PG-TO220-2

欧时:
Infineon IDH04G65C6XKSA1

得捷:
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2

贸泽:
肖特基二极管与整流器 SIC DIODES

e络盟:
二极管, 碳化硅肖特基, CoolSiC 6G 650V Series, 单, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220

艾睿:
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin2+Tab TO-220 Tube

安富利:
SIC DIODES

TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 45W; PG-TO220-2

IDH04G65C6XKSA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 45 W

正向电流 12 A

正向电流Max 12 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 175 ℃

耗散功率Max 45000 mW

封装参数

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

封装 TO-220-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IDH04G65C6XKSA1引脚图与封装图

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IDH04G65C6XKSA1	Infineon 英飞凌	二极管, 碳化硅肖特基, CoolSiC 6G 650V Series, 单, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220	搜索库存