IPN70R1K4P7SATMA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

IPN70R1K4P7SATMA1 编带

表面贴装型 N 通道 700 V 4A（Tc） 6.2W（Tc） PG-SOT223

欧时:
Infineon MOSFET IPN70R1K4P7SATMA1

得捷:
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223

立创商城:
N沟道 700V 4A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin2+Tab SOT-223 T/R

安富利:
CONSUMER

IPN70R1K4P7SATMA1中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.15 Ω

耗散功率 6.2 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 700 V

上升时间 4.9 ns

输入电容Ciss 158pF @400VVds

下降时间 61 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 6200 mW

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-223-3

外形尺寸

封装 SOT-223-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Adapter, charger, Lighting, TV power supply

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPN70R1K4P7SATMA1引脚图与封装图

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