IAUT165N08S5N029ATMA2
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
IAUT165N08S5N029ATMA2中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0024 Ω
耗散功率 167 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 80 V
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 4900pF @40VVds
下降时间 29 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 167000 mW
封装参数
引脚数 9
封装 PG-HSOF-8
外形尺寸
封装 PG-HSOF-8
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
IAUT165N08S5N029ATMA2引脚图与封装图 
IAUT165N08S5N029ATMA2引脚图
IAUT165N08S5N029ATMA2封装图
IAUT165N08S5N029ATMA2封装焊盘图
在线购买IAUT165N08S5N029ATMA2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IAUT165N08S5N029ATMA2 | Infineon 英飞凌 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 165 A, 80 V, 0.0024 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |