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IPN70R360P7SATMA1

IPN70R360P7SATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

IPN70R360P7SATMA1 编带

表面贴装型 N 通道 12.5A(Tc) 7.2W(Tc) PG-SOT223


欧时:
Infineon MOSFET IPN70R360P7SATMA1


得捷:
MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 700 V, 0.3 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin2+Tab SOT-223 T/R


安富利:
CONSUMER


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223


Verical:
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin2+Tab SOT-223 T/R


IPN70R360P7SATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.3 Ω

耗散功率 7.2 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 700 V

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 517pF @400VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 7200 mW

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-223-3

外形尺寸

封装 SOT-223-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Adapter, charger, Lighting, TV power supply

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPN70R360P7SATMA1引脚图与封装图
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