IPN70R900P7SATMA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

IPN70R900P7SATMA1 编带

表面贴装型 N 通道 6A（Tc） 6.5W（Tc） PG-SOT223

得捷:
MOSFET N-CH 700V 6A SOT223

欧时:
Infineon MOSFET IPN70R900P7SATMA1

立创商城:
N沟道 700V 6A

贸泽:
MOSFET CONSUMER

e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, 表面安装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin2+Tab SOT-223 T/R

安富利:
CONSUMER

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223

IPN70R900P7SATMA1中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.74 Ω

耗散功率 6.5 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 700 V

上升时间 4.7 ns

输入电容Ciss 211 pF

下降时间 31 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 6.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-223-3

外形尺寸

封装 SOT-223-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Lighting, TV power supply, charger, Adapter

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPN70R900P7SATMA1引脚图与封装图

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