IPC100N04S52R8ATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
针脚数 8
漏源极电阻 0.0023 Ω
耗散功率 75 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 2000pF @25VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8-34
封装 PG-TDSON-8-34
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPC100N04S52R8ATMA1 | Infineon 英飞凌 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 V | 搜索库存 |