IKQ75N120CT2XKSA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT 沟槽型场截止通孔 PG-TO247-3-46

欧时:
IGBT 1200V 75A TRENCHSTOP2 Diode TO-247

得捷:
IGBT 1200V 150A TO247-3

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

安富利:
IGBTs

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

IKQ75N120CT2XKSA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 938000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 938 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 938000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Other low speed hard switching applications f, Industrial drives, <20kHz

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IKQ75N120CT2XKSA1引脚图与封装图

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