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IPA60R060P7XKSA1

IPA60R060P7XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 600 V, 0.049 ohm, 10 V, 3.5 V

通孔 N 通道 600 V 48A(Tc) 29W(Tc) PG-TO220 整包


得捷:
MOSFET N-CHANNEL 600V 48A TO220


欧时:
Infineon MOSFET IPA60R060P7XKSA1


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 600 V, 0.049 ohm, 10 V, 3.5 V


艾睿:
P7 Power Transistor


安富利:
HIGH POWER_NEW


IPA60R060P7XKSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.049 Ω

耗散功率 29 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 600 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 29000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Server, Lighting, TV power supply, Telecom, Industrial SMPS

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPA60R060P7XKSA1引脚图与封装图
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IPA60R060P7XKSA1 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 600 V, 0.049 ohm, 10 V, 3.5 V 搜索库存