IPD60R180P7SAUMA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V

表面贴装型 N 通道 600 V 18A（Tc） 72W（Tc） PG-TO252-3

得捷:
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3

欧时:
Infineon MOSFET IPD60R180P7SAUMA1

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
CONSUMER

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

IPD60R180P7SAUMA1中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.145 Ω

耗散功率 72 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 1081pF @400VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 72000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Server, Lighting, TV power supply, Telecom, Industrial SMPS

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPD60R180P7SAUMA1引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
IPD60R180P7SAUMA1	Infineon 英飞凌	晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V	搜索库存