IPAN80R360P7XKSA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 800 V, 0.31 ohm, 10 V, 3 V

通孔 N 通道 800 V 13A（Tc） 30W（Tc） PG-TO220 整包

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N沟道 800V 13A

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MOSFET N-CH 800V 13A TO220

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 30W; TO220FP

IPAN80R360P7XKSA1中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.31 Ω

耗散功率 30 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 800 V

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 930pF @500VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPAN80R360P7XKSA1引脚图与封装图

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IPAN80R360P7XKSA1	Infineon 英飞凌	晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 800 V, 0.31 ohm, 10 V, 3 V	搜索库存