IPL60R365P7AUMA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.31 ohm, 10 V, 3.5 V

表面贴装型 N 通道 10A（Tc） 46W（Tc） PG-VSON-4

欧时:
Infineon MOSFET IPL60R365P7AUMA1

立创商城:
N沟道 600V 10A

得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A 4VSON

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.31 ohm, 10 V, 3.5 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R

安富利:
LOW POWER_NEW

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 46W; PG-VSON-4

IPL60R365P7AUMA1中文资料参数规格

技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.31 Ω

耗散功率 46 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 555pF @400VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 46W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 PG-VSON-4

外形尺寸

封装 PG-VSON-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

制造应用 Server, Lighting, TV power supply, Telecom, Industrial SMPS

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPL60R365P7AUMA1引脚图与封装图

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