IDH10G65C5XKSA2

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

Diode Schottky 650V 10A To220-2

二极管碳化硅肖特基 10A（DC）通孔 PG-TO220-2-1

得捷:
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-1

艾睿:
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin2+Tab TO-220 Tube

安富利:
SIC DIODES

Win Source:
DIODE SCHOTKY 650V 10A TO220-2-1 / Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 10A DC Through Hole PG-TO220-2-1

IDH10G65C5XKSA2中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.7 V

耗散功率 89000 mW

反向恢复时间 0 ns

正向电流Max 10 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 89000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

封装 TO-220-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IDH10G65C5XKSA2引脚图与封装图

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