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IDW10G65C5XKSA1

IDW10G65C5XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

Diode: Schottky rectifying; THT; 650V; 10A; 65W; PG-TO247-3; Ir:2uA

二极管 碳化硅肖特基 10A(DC) 通孔 PG-TO247-3


欧时:
Infineon IDW10G65C5XKSA1


得捷:
DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3


立创商城:
650V 1.7V@10A


艾睿:
Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 65W; PG-TO247-3


IDW10G65C5XKSA1中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.7 V

耗散功率 65000 mW

反向恢复时间 0 ns

正向电流Max 10 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 65000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IDW10G65C5XKSA1引脚图与封装图
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IDW10G65C5XKSA1 Infineon 英飞凌 Diode: Schottky rectifying; THT; 650V; 10A; 65W; PG-TO247-3; Ir:2uA 搜索库存