锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IDW30G65C5XKSA1

IDW30G65C5XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基二极管,InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术,用于碳化硅肖特基势垒二极管,可提高耐热性。碳化硅肖特基二极管设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势,如提高击穿电场强度和增强导热性,从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。降低的 EMI### 二极管和整流器,Infineon

thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基,

Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术,用于碳化硅肖特基势垒二极管,可提高耐热性。碳化硅设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势,如提高击穿电场强度和增强导热性,从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。

降低的 EMI

### 二极管和整流器,Infineon

IDW30G65C5XKSA1中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.7 V

耗散功率 150 W

正向电流 30000 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 165 A

正向电压Max 2.1 V

正向电流Max 30 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IDW30G65C5XKSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IDW30G65C5XKSA1
型号 制造商 描述 购买
IDW30G65C5XKSA1 Infineon 英飞凌 thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基二极管,Infineon Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术,用于碳化硅肖特基势垒二极管,可提高耐热性。碳化硅肖特基二极管设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势,如提高击穿电场强度和增强导热性,从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器,Infineon 搜索库存