IDW30G65C5XKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
正向电压 1.7 V
耗散功率 150 W
正向电流 30000 mA
最大正向浪涌电流(Ifsm) 165 A
正向电压Max 2.1 V
正向电流Max 30 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IDW30G65C5XKSA1 | Infineon 英飞凌 | thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基二极管,Infineon Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术,用于碳化硅肖特基势垒二极管,可提高耐热性。碳化硅肖特基二极管设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势,如提高击穿电场强度和增强导热性,从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器,Infineon | 搜索库存 |