IRF200P223

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 71A; 313W; TO247AC

通孔 N 通道 100A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC

得捷:
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC

欧时:
Infineon MOSFET IRF200P223

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube

安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 100A Strong RFET 3TO-247AC

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 71A; 313W; TO247AC

Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube

IRF200P223中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 313 W

漏源极电压Vds 200 V

上升时间 66 ns

输入电容Ciss 5094pF @50VVds

下降时间 62 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 313000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF200P223引脚图与封装图

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IRF200P223	Infineon 英飞凌	Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 71A; 313W; TO247AC	搜索库存