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IDW40G65C5XKSA1

IDW40G65C5XKSA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

肖特基二极管与整流器 SIC DIODES

Diode Silicon Carbide Schottky 650V 40A DC Through Hole PG-TO247-3


欧时:
Infineon IDW40G65C5XKSA1


得捷:
DIODE SIL CARB 650V 40A TO247-3


贸泽:
肖特基二极管与整流器 SIC DIODES


艾睿:
Diode Schottky 650V 40A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; 112W; PG-TO247-3


Win Source:
DIODE SCHOTTKY 650V 40A TO247-3 / Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 40A DC Through Hole PG-TO247-3


IDW40G65C5XKSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 183 W

正向电流Max 40 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 183000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IDW40G65C5XKSA1引脚图与封装图
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