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IPP60R180P7XKSA1

IPP60R180P7XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V

通孔 N 通道 18A(Tc) 72W(Tc) PG-TO220-3


欧时:
Infineon MOSFET IPP60R180P7XKSA1


得捷:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3


贸泽:
MOSFET


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


IPP60R180P7XKSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.145 Ω

耗散功率 72 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 1081pF @400VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 72W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Lighting, TV power supply, Server, Telecom, Industrial SMPS

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPP60R180P7XKSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPP60R180P7XKSA1 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V 搜索库存