IFS75B12N3E4B31BOSA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

MIPAQ base 1200V sixpack IGBT Module with Trench/Fieldstop IGBT4, current sense shunts, emitter controlled 4 diode an...

IGBT 模块沟槽型场截止全桥底座安装模块

得捷:
IGBT MOD 1200V 150A 385W

艾睿:
MIPAQ Base Module With Trench/Field Stop IGBT 4 Module

安富利:
MIPAQ Base Module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 Diode and Current Sense Shunt 1200V Tray

IFS75B12N3E4B31BOSA1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 4.3nF @25V

额定功率Max 385 W

封装参数

引脚数 34

封装 AG-ECONO3-4

外形尺寸

封装 AG-ECONO3-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Solar, Uninterruptible Power Supply UPS, Wind, Drives

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IFS75B12N3E4B31BOSA1引脚图与封装图

IFS75B12N3E4B31BOSA1电路图

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