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IPI024N06N3 G

IPI024N06N3 G

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

N沟道 60V 120A

Summary of Features:

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Excellent gate charge x R DSon product FOM
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Very low on-resistance R DSon
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Ideal for fast switching applications
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RoHS compliant - halogen free
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MSL1 rated

Benefits:

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Highest system efficiency
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Less paralleling required
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Increased power density
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System cost reduction
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Very low voltage overshoot
IPI024N06N3 G中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 80 ns

输入电容Ciss 23000pF @30VVds

额定功率Max 250 W

下降时间 24 ns

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Synchronous rectification, Isolated DC-DC converters, Or-ing switches

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPI024N06N3 G引脚图与封装图
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