IXTA08N100D2HV
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IXYS Semiconductor
电子元器件分类
IXTA08N100D2HV中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 60 W
上升时间 57 ns
输入电容Ciss 325pF @25VVds
下降时间 48 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 TO-263
外形尺寸
封装 TO-263
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTA08N100D2HV引脚图与封装图
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| IXTA08N100D2HV | IXYS Semiconductor | N沟道 1kV 800mA | 搜索库存 |