IPL60R185P7AUMA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 600 V, 0.149 ohm, 10 V, 3.5 V

表面贴装型 N 通道 19A（Tc） 81W（Tc） PG-VSON-4

得捷:
MOSFET N-CH 650V 19A 4VSON

欧时:
Infineon IPL60R185P7AUMA1

立创商城:
N沟道 650V 19A

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 600 V, 0.149 ohm, 10 V, 3.5 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 4-Pin VSON EP T/R

安富利:
HIGH POWER_NEW

IPL60R185P7AUMA1中文资料参数规格

技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.149 Ω

耗散功率 82 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 1081pF @400VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 81W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 PG-VSON-4

外形尺寸

封装 PG-VSON-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

制造应用 Server, Lighting, TV power supply, Telecom, Industrial SMPS

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

IPL60R185P7AUMA1引脚图与封装图

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