IXFP22N65X2M

IXYS Semiconductor 电子元器件分类

N沟道 650V 22A

N-Channel 650V 22A Tc 37W Tc Through Hole TO-220 Isolated Tab

得捷:
MOSFET N-CH 650V 22A TO220

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N沟道 650V 22A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin3+Tab OVERMOLDED TO-220

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MOSFET N-CH 650V 22A TO220 / N-Channel 650 V 22A Tc 37W Tc Through Hole TO-220 Isolated Tab

IXFP22N65X2M中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

耗散功率 37000 mW

阈值电压 3.5 V

上升时间 37 ns

输入电容Ciss 2190pF @25VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 37000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFP22N65X2M引脚图与封装图

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