IRF7309TRPBF-1
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Infineon
英飞凌
电子元器件分类
IRF7309TRPBF-1中文资料参数规格
技术参数
极性 N+P
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 4A/3A
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF7309TRPBF-1引脚图与封装图
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在线购买IRF7309TRPBF-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF7309TRPBF-1 | Infineon 英飞凌 | SOIC N+P 30V 4A/3A | 搜索库存 |
替代型号IRF7309TRPBF-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7309TRPBF-1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | SOIC N+P 30V 4A/3A | 当前型号 |
| 型号： IRF7309PBF 品牌： 英飞凌 封装： SOIC N-Channel 30V 4A 3A | 功能相似 | INFINEON IRF7309PBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 30 V, 50 mohm, 10 V, 1 V | IRF7309TRPBF-1和IRF7309PBF的区别 |
| 型号： IRF7309 品牌： 英飞凌 封装： SOIC N+P 30V 3A | 功能相似 | SOIC N+P 30V 4A/3A | IRF7309TRPBF-1和IRF7309的区别 |
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