IFS150V12PT4BOSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
IFS150V12PT4BOSA1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
封装参数
封装 AG-MIPAQ-3
外形尺寸
封装 AG-MIPAQ-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 65℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tray
制造应用 Solar, Wind, Uninterruptible Power Supply UPS, Drives
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
IFS150V12PT4BOSA1引脚图与封装图 
IFS150V12PT4BOSA1电路图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IFS150V12PT4BOSA1 | Infineon 英飞凌 | The 1200V MIPAQ™ serve using IGBT4 technology in sixpack configuration plus a full set of drivers and temperature measurement on top of the IGBT module. Inside the module, there is a galvanically isolated driver based on Infineon’s Coreless Transformer Technology. | 搜索库存 |