IAUT300N08S5N012ATMA2
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
IAUT300N08S5N012ATMA2中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.001 Ω
耗散功率 375 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 80 V
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 12500pF @40VVds
下降时间 55 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375000 mW
封装参数
引脚数 9
封装 PG-HSOF-8
外形尺寸
封装 PG-HSOF-8
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IAUT300N08S5N012ATMA2引脚图与封装图 
IAUT300N08S5N012ATMA2引脚图
IAUT300N08S5N012ATMA2封装图
IAUT300N08S5N012ATMA2封装焊盘图
在线购买IAUT300N08S5N012ATMA2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IAUT300N08S5N012ATMA2 | Infineon 英飞凌 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 80 V, 0.001 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |