IPT60R102G7XTMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 88 mΩ
耗散功率 141 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1320pF @400VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 141W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 9
封装 PG-HSOF-8
封装 PG-HSOF-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Telecom, Server, Industrial SMPS
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
IPT60R102G7XTMA1引脚图
IPT60R102G7XTMA1封装图
IPT60R102G7XTMA1封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IPT60R102G7XTMA1 | Infineon 英飞凌 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 600 V, 0.088 ohm, 10 V, 3.5 V | 搜索库存 |