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IPT60R102G7XTMA1

IPT60R102G7XTMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 600 V, 0.088 ohm, 10 V, 3.5 V

表面贴装型 N 通道 650 V 23A(Tc) 141W(Tc) PG-HSOF-8-2


欧时:
Infineon MOSFET IPT60R102G7XTMA1


立创商城:
N沟道 650V 23A


得捷:
MOSFET N-CH 650V 23A 8HSOF


贸泽:
MOSFET HIGH POWER NEW


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 600 V, 0.088 ohm, 10 V, 3.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin8+Tab HSOF T/R


安富利:
Trans MOSFET N 650V 23A 8-Pin HSOF T/R


IPT60R102G7XTMA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 88 mΩ

耗散功率 141 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 1320pF @400VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 141W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 9

封装 PG-HSOF-8

外形尺寸

封装 PG-HSOF-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Telecom, Server, Industrial SMPS

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPT60R102G7XTMA1引脚图与封装图
IPT60R102G7XTMA1引脚图

IPT60R102G7XTMA1引脚图

IPT60R102G7XTMA1封装图

IPT60R102G7XTMA1封装图

IPT60R102G7XTMA1封装焊盘图

IPT60R102G7XTMA1封装焊盘图

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IPT60R102G7XTMA1 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 600 V, 0.088 ohm, 10 V, 3.5 V 搜索库存