IPT60R028G7XTMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 600 V, 0.024 ohm, 10 V, 3.5 V

表面贴装型 N 通道 600 V 75A（Tc） 391W（Tc） PG-HSOF-8-2

欧时:
Infineon IPT60R028G7XTMA1

得捷:
MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF

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N沟道 600V 75A

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MOSFET HIGH POWER NEW

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晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 600 V, 0.024 ohm, 10 V, 3.5 V

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Trans MOSFET N-CH 600V 75A 9-Pin8+Tab HSOF T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF / N-Channel 600 V 75A Tc 391W Tc Surface Mount PG-HSOF-8-2

IPT60R028G7XTMA1中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.024 Ω

耗散功率 391 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 4820pF @400VVds

下降时间 2.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 391000 mW

封装参数

引脚数 9

封装 PG-HSOF-8

外形尺寸

封装 PG-HSOF-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Server, Telecom, Industrial SMPS

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPT60R028G7XTMA1引脚图与封装图

IPT60R028G7XTMA1引脚图

IPT60R028G7XTMA1封装图

IPT60R028G7XTMA1封装焊盘图

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IPT60R028G7XTMA1	Infineon 英飞凌	晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 600 V, 0.024 ohm, 10 V, 3.5 V	搜索库存