位数 32
存取时间Max 0.6 ns
工作温度Max 95 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压Max 1.9 V
电源电压Min 1.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 126
封装 WBGA-126
封装 WBGA-126
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IS46DR32801A-5BBLA1 | Integrated Silicon SolutionISSI | DRAM Automotive Tc: -40 to +95C, 256M, 1.8V, DDR2, Reduced page, 8Mx32, 200MHz @ CL3, 126 ball BGA 11mmx14mm RoHS | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IS46DR32801A-5BBLA1 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: WBGA-126 | 当前型号 | DRAM Automotive Tc: -40 to +95C, 256M, 1.8V, DDR2, Reduced page, 8Mx32, 200MHz @ CL3, 126 ball BGA 11mmx14mm RoHS | 当前型号 | |
型号: IS43DR32801A-37CBLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: WBGA-126 | 类似代替 | DRAM 256M 8Mx32 266MHz DDR2 1.8V | IS46DR32801A-5BBLA1和IS43DR32801A-37CBLI的区别 | |
型号: IS43DR32801A-5BBLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: WBGA-126 | 类似代替 | 动态随机存取存储器 256M 8Mx32 200MHz DDR2 1.8v | IS46DR32801A-5BBLA1和IS43DR32801A-5BBLI的区别 | |
型号: IS46DR32801A-5BBLA2 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: | 类似代替 | DRAM 256M 8Mx32 200MHz DDR2 1.8V | IS46DR32801A-5BBLA1和IS46DR32801A-5BBLA2的区别 |