IRF7343TR
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Infineon
英飞凌
分立器件
IRF7343TR中文资料参数规格
技术参数
额定电流 4.70 A
极性 Dual N-Channel, Dual P-Channel
产品系列 IRF7343
漏源极电压Vds 55.0 V
连续漏极电流Ids 3.40 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
其他
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF7343TR引脚图与封装图
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在线购买IRF7343TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF7343TR | Infineon 英飞凌 | SOIC N+P 55V 4.7A/3.4A | 搜索库存 |
替代型号IRF7343TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7343TR 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOIC Dual N-Channel 55V 3.4A | 当前型号 | SOIC N+P 55V 4.7A/3.4A | 当前型号 |
| 型号： IRF7343 品牌： 英飞凌 封装： SOIC Dual N-Channel 55V 3.4A | 完全替代 | SOIC N+P 55V 4.7A/3.4A | IRF7343TR和IRF7343的区别 |
| 型号： IRF7343PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N+P 55V 4.7A 3.4A | 功能相似 | INFINEON IRF7343PBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.7 A, 55 V, 50 mohm, 10 V, 1 V | IRF7343TR和IRF7343PBF的区别 |
| 型号： AUIRF7343QTR 品牌： 英飞凌 封装： 8-SOIC N+P 55V 4.7A 3.4A | 功能相似 | 双路场效应管, MOSFET, 双路N和P通道, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V | IRF7343TR和AUIRF7343QTR的区别 |