IPB26CN10N G
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPB26CN10N G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 71 W
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 2070pF @50VVds
额定功率Max 71 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 71000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPB26CN10N G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB26CN10N G | Infineon 英飞凌 | MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3 | 搜索库存 |