锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRF830BPBF

IRF830BPBF

数据手册.pdf
VISHAY(威世) 分立器件
IRF830BPBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 N-CH

耗散功率 104 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 4.5A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

包装方式 Tube

最小包装 50

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

IRF830BPBF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRF830BPBF
型号 制造商 描述 购买
IRF830BPBF VISHAY 威世 场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 5.3A, TO-220AB 搜索库存