IMC1210EB1R2K
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Vishay Dale
威世达勒
被动器件
IMC1210EB1R2K中文资料参数规格
技术参数
额定电流 390 mA
容差 ±10 %
自谐频率 100 MHz
测试频率 7.96 MHz
电阻DC） ≤750 mΩ
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 1210
外形尺寸
封装 1210
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IMC1210EB1R2K引脚图与封装图
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在线购买IMC1210EB1R2K
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IMC1210EB1R2K | Vishay Dale 威世达勒 | Ind Chip Molded Wirewound 1.2uH 10% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 390mA 1210 Bulk | 搜索库存 |
替代型号IMC1210EB1R2K
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IMC1210EB1R2K 品牌： Vishay Dale 威世达勒 封装： | 当前型号 | Ind Chip Molded Wirewound 1.2uH 10% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 390mA 1210 Bulk | 当前型号 |
| 型号： IMC1210ER1R2K 品牌： 威世达勒 封装： 1210 1.2µH 390mA | 完全替代 | Ind Chip Molded Wirewound 1.2uH 10% 7.96MHz 30Q-Factor Powdered Iron 390mA 1210 T/R | IMC1210EB1R2K和IMC1210ER1R2K的区别 |
| 型号： ELJ-FA1R2KF2 品牌： 松下 封装： 1210 1.2uH 100MHz | 功能相似 | 1.2µH Unshielded Wirewound Inductor 215mA 750mOhm Max 1210 3225 Metric | IMC1210EB1R2K和ELJ-FA1R2KF2的区别 |