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IMC1812BNR10K

IMC1812BNR10K

数据手册.pdf
Vishay Dale 威世达勒 被动器件

Ind Chip Molded Wirewound 100nH 10% 25.2MHz 30Q-Factor 450mA 1812 Bulk

100nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 320mOhm Max 1812 4532 Metric


得捷:
FIXED IND 100NH 450MA 320MOHM SM


IMC1812BNR10K中文资料参数规格
技术参数

额定电流 450 mA

容差 ±10 %

自谐频率 650 MHz

测试频率 25.2 MHz

电阻DC) ≤320 mΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 4832

封装 1812

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 3.2 mm

封装公制 4832

封装 1812

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IMC1812BNR10K引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IMC1812BNR10K Vishay Dale 威世达勒 Ind Chip Molded Wirewound 100nH 10% 25.2MHz 30Q-Factor 450mA 1812 Bulk 搜索库存
替代型号IMC1812BNR10K
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IMC1812BNR10K

品牌: Vishay Dale 威世达勒

封装: 1812

当前型号

Ind Chip Molded Wirewound 100nH 10% 25.2MHz 30Q-Factor 450mA 1812 Bulk

当前型号

型号: IMC1812EBR10K

品牌: 威世达勒

封装: 1812

完全替代

Ind Chip Molded Wirewound 100nH 10% 25.2MHz 30Q-Factor 450mA 1812 Bulk

IMC1812BNR10K和IMC1812EBR10K的区别

型号: IMC1812RVR10K

品牌: 威世达勒

封装: 1812

完全替代

Ind Chip Molded Wirewound 100nH 10% 25.2MHz 30Q-Factor 450mA 1812 T/R

IMC1812BNR10K和IMC1812RVR10K的区别