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IMC1210BN100K

IMC1210BN100K

数据手册.pdf
Vishay Dale 威世达勒 被动器件

Ind Chip Molded Wirewound 10uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 189mA 1210 Bulk

无屏蔽 绕线 器 2.1 欧姆最大 1210(3225 公制)


得捷:
FIXED IND 10UH 189MA 2.1 OHM SMD


贸泽:
Fixed Inductors 1210 10uH


IMC1210BN100K中文资料参数规格
技术参数

额定电流 189 mA

容差 ±10 %

电感 10 µH

自谐频率 33 MHz

测试频率 2.52 MHz

电阻DC) ≤2.1 Ω

电阻DC Max 2.1 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1210

外形尺寸

长度 3.20 mm

宽度 2.49 mm

封装 1210

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

IMC1210BN100K引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IMC1210BN100K Vishay Dale 威世达勒 Ind Chip Molded Wirewound 10uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 189mA 1210 Bulk 搜索库存
替代型号IMC1210BN100K
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IMC1210BN100K

品牌: Vishay Dale 威世达勒

封装: 3225

当前型号

Ind Chip Molded Wirewound 10uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 189mA 1210 Bulk

当前型号

型号: IMC1210ER100K

品牌: 威世达勒

封装: 1210

完全替代

General Fixed Inductor, 1Element, 10uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD, CHIP, 1210, ROHS COMPLIANT

IMC1210BN100K和IMC1210ER100K的区别

型号: IMC1210AN100K

品牌: 威世达勒

封装: 1210

完全替代

Ind Chip Molded Wirewound 10uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 189mA 1210 T/R

IMC1210BN100K和IMC1210AN100K的区别

型号: IMC1210ET100K

品牌: 威世达勒

封装: 1210

完全替代

Ind Chip Molded Wirewound 10uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Powdered Iron 189mA 1210 T/R

IMC1210BN100K和IMC1210ET100K的区别