IMC1210BNR10M
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Vishay Dale
威世达勒
被动器件
IMC1210BNR10M中文资料参数规格
技术参数
额定电流 450 mA
容差 ±20 %
自谐频率 700 MHz
测试频率 50 MHz
电阻DC） ≤440 mΩ
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 3225
封装 1210
外形尺寸
长度 3.2 mm
宽度 2.5 mm
封装公制 3225
封装 1210
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IMC1210BNR10M引脚图与封装图
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在线购买IMC1210BNR10M
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IMC1210BNR10M | Vishay Dale 威世达勒 | Ind Chip Molded Wirewound 100nH 20% 50MHz 30Q-Factor 450mA 1210 Bulk | 搜索库存 |
替代型号IMC1210BNR10M
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IMC1210BNR10M 品牌： Vishay Dale 威世达勒 封装： 1210 | 当前型号 | Ind Chip Molded Wirewound 100nH 20% 50MHz 30Q-Factor 450mA 1210 Bulk | 当前型号 |
| 型号： IMC1210ERR10M 品牌： 威世达勒 封装： 1210 | 完全替代 | INDUCTOR WW 100nH 20% 1210 | IMC1210BNR10M和IMC1210ERR10M的区别 |
| 型号： IMC1210EBR10M 品牌： 威世达勒 封装： 1210 | 完全替代 | Ind Chip Molded Wirewound 100nH 20% 50MHz 30Q-Factor 450mA 1210 Bulk | IMC1210BNR10M和IMC1210EBR10M的区别 |
| 型号： IMC1210R9R10M 品牌： 威世达勒 封装： 1210 | 完全替代 | Ind Chip Molded Wirewound 100nH 20% 50MHz 30Q-Factor 450mA 1210 T/R | IMC1210BNR10M和IMC1210R9R10M的区别 |