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ISC1812BN100J

ISC1812BN100J

数据手册.pdf
Vishay Dale 威世达勒 被动器件

Ind Chip Shielded/Molded Wirewound 10uH 5% 2.52MHz 50Q-Factor Powdered Iron 279mA 1812 Bulk

10 µH 屏蔽 绕线 器 279 mA 900 毫欧最大 1812(4532 公制)


得捷:
FIXED IND 10UH 279MA 900MOHM SMD


ISC1812BN100J中文资料参数规格
技术参数

额定电流 279 mA

容差 ±5 %

自谐频率 25 MHz

测试频率 2.52 MHz

电阻DC) ≤900 mΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 4832

封装 1812

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 3.2 mm

封装公制 4832

封装 1812

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

ISC1812BN100J引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
ISC1812BN100J Vishay Dale 威世达勒 Ind Chip Shielded/Molded Wirewound 10uH 5% 2.52MHz 50Q-Factor Powdered Iron 279mA 1812 Bulk 搜索库存
替代型号ISC1812BN100J
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ISC1812BN100J

品牌: Vishay Dale 威世达勒

封装: 1812

当前型号

Ind Chip Shielded/Molded Wirewound 10uH 5% 2.52MHz 50Q-Factor Powdered Iron 279mA 1812 Bulk

当前型号

型号: ISC1812ES100J

品牌: 威世达勒

封装: 1812

完全替代

Ind Chip Shielded/Molded Wirewound 10uH 5% 2.52MHz 50Q-Factor Powdered Iron 279mA 1812 T/R

ISC1812BN100J和ISC1812ES100J的区别

型号: ISC1812RV100J

品牌: 威世达勒

封装: 1812

完全替代

Ind Chip Shielded/Molded Wirewound 10uH 5% 2.52MHz 50Q-Factor Powdered Iron 279mA 1812 T/R

ISC1812BN100J和ISC1812RV100J的区别

型号: ISC1812RQ100J

品牌: 威世达勒

封装: 1812

完全替代

Ind Chip Shielded/Molded Wirewound 10uH 5% 2.52MHz 50Q-Factor Powdered Iron 279mA 1812 T/R

ISC1812BN100J和ISC1812RQ100J的区别