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IPD80R450P7ATMA1

IPD80R450P7ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

IPD80R450P7ATMA1 编带

CoolMOS P7 系列 N沟道 MOSFET , 11 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


得捷:
MOSFET N-CH 800V 11A TO252


欧时:
Infineon IPD80R450P7ATMA1


立创商城:
N沟道 800V 11A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 73W; PG-TO252-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


IPD80R450P7ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.38 Ω

耗散功率 73 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 800 V

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 770pF @500VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 73W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPD80R450P7ATMA1引脚图与封装图
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