IRF520S

Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

表面贴装型 N 通道 100 V 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D²PAK（TO-263）

得捷:
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

IRF520S中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.7W Ta, 60W Tc

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 360pF @25VVds

耗散功率Max 3.7W Ta, 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRF520S引脚图与封装图

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