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IRL510S
Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

表面贴装型 N 通道 100 V 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D²PAK(TO-263)


得捷:
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK


IRL510S中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3.7W Ta, 43W Tc

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 250pF @25VVds

额定功率Max 3.7 W

耗散功率Max 3.7W Ta, 43W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRL510S引脚图与封装图
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型号: IRL510S

品牌: Vishay Siliconix

封装: D²Pak

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MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

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型号: IRL510SPBF

品牌: Vishay Siliconix

封装: D2PAK

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MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

IRL510S和IRL510SPBF的区别

型号: IRL510STRLPBF

品牌: Vishay Siliconix

封装: D2PAK

完全替代

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

IRL510S和IRL510STRLPBF的区别

型号: IRL510STRL

品牌: Vishay Siliconix

封装: D2PAK

完全替代

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

IRL510S和IRL510STRL的区别