耗散功率 3.7W Ta, 43W Tc
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 250pF @25VVds
额定功率Max 3.7 W
耗散功率Max 3.7W Ta, 43W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRL510S 品牌: Vishay Siliconix 封装: D²Pak | 当前型号 | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | 当前型号 | |
型号: IRL510SPBF 品牌: Vishay Siliconix 封装: D2PAK | 完全替代 | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | IRL510S和IRL510SPBF的区别 | |
型号: IRL510STRLPBF 品牌: Vishay Siliconix 封装: D2PAK | 完全替代 | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | IRL510S和IRL510STRLPBF的区别 | |
型号: IRL510STRL 品牌: Vishay Siliconix 封装: D2PAK | 完全替代 | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | IRL510S和IRL510STRL的区别 |