
耗散功率 2.5W Ta, 42W Tc
漏源极电压Vds 600 V
输入电容Ciss 350pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 42W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFRC20 品牌: Vishay Siliconix 封装: DPak | 当前型号 | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | 当前型号 | |
型号: IRFRC20PBF 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-252-3 | 完全替代 | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | IRFRC20和IRFRC20PBF的区别 | |
型号: SIHFRC20TR-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: | 功能相似 | TRANSISTOR 2 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DPAK-3, FET General Purpose Power | IRFRC20和SIHFRC20TR-GE3的区别 |