
额定电压DC -400 V
额定电流 -1.80 A
极性 P-Channel
耗散功率 50W Tc
漏源极电压Vds 400 V
漏源击穿电压 -400 V
连续漏极电流Ids 1.80 A
上升时间 10.0 ns
输入电容Ciss 270pF @25VVds
额定功率Max 50 W
耗散功率Max 50W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFR9310 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-252 P-Channel 400V 1.8A | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3P DPAK | 当前型号 | |
型号: IRFR9310TRPBF 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-252-3 | 完全替代 | MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK | IRFR9310和IRFR9310TRPBF的区别 | |
型号: IRFR9310PBF 品牌: Vishay Siliconix 封装: DPAK | 完全替代 | Trans MOSFET P-CH 400V 1.8A 3Pin2+Tab DPAK | IRFR9310和IRFR9310PBF的区别 | |
型号: IRFR9310TRLPBF 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-252-3 | 完全替代 | MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK | IRFR9310和IRFR9310TRLPBF的区别 |