ISL9N307AP3
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
ISL9N307AP3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 11.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 100 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 75.0 A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
ISL9N307AP3引脚图与封装图
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在线购买ISL9N307AP3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ISL9N307AP3 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs | 搜索库存 |
替代型号ISL9N307AP3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ISL9N307AP3 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 30V 75A 11.5mΩ | 当前型号 | N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs | 当前型号 |
| 型号： FDP8896 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 30V 92A 59mohms 2.52nF | 功能相似 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | ISL9N307AP3和FDP8896的区别 |
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