漏源极电阻 540 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 44 W
漏源极电压Vds 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 80 ns
下降时间 85 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFS740B 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO N-Channel 400V 10A 540mΩ | 当前型号 | 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET | 当前型号 | |
型号: FQPF11N40C 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO220F N-Channel 400V 10.5A 430mohms | 类似代替 | 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET | IRFS740B和FQPF11N40C的区别 | |
型号: FQPF11N40T 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-220F N-CH 400V 6.6A | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 400V 6.6A 3Pin3+Tab TO-220F Rail | IRFS740B和FQPF11N40T的区别 |